| номер части | NAND256R3A2BZA6E |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 256Mb (32M x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | 50ns |
| Время доступа | 50ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 55-TFBGA |
| Пакет устройств поставщика | 55-VFBGA (8x10) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NAND256R3A2BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | - | 0 | подробности |
 |
NAND256W3A0AN6 | STMicroelectronics | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | 0 | подробности | |
 |
NAND256W3A0AN6E | STMicroelectronics | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | 0 | подробности | |
 |
NAND256W3A0AN6F | STMicroelectronics | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | 0 | подробности | |
|
NAND256W3A0BE06 | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER | - | 0 | подробности |
|
NAND256W3A0BN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
|
NAND256W3A0BN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
 |
NAND256W3A0BZA6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 55VFBGA | - | 0 | подробности |
|
NAND256W3A2BE06 | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS WAFER | - | 0 | подробности |
 |
NAND256W3A2BN6E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
 |
NAND256W3A2BN6F | STMicroelectronics | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
|
NAND256W3A2BN6F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 256MBIT 50NS 48TSOP | - | 0 | подробности |
