IXDN602SIATR

2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
IXDN602SIATR P1
IXDN602SIATR P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDN602SIATR

номер части
IXDN602SIATR
производитель
IXYS Integrated Circuits Division
Описание
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IXDN602SIATR.pdf IXDN602SIATR PDF online browsing
семья
PMIC - драйверы Gate
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXDN602SIATR
Статус детали Active
Управляемая конфигурация Low-Side
Тип канала Independent
Количество драйверов 2
Тип ворот IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка 4.5 V ~ 35 V
Напряжение логики - VIL, VIH 0.8V, 3V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина) 2A, 2A
Тип ввода Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап) -
Время нарастания / падения (Тип) 7.5ns, 6.5ns
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOIC

сопутствующие товары

Все продукты