MKI100-12E8

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
MKI100-12E8 P1
MKI100-12E8 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ MKI100-12E8

номер части
MKI100-12E8
производитель
IXYS
Описание
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MKI100-12E8.pdf MKI100-12E8 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MKI100-12E8
Статус детали Obsolete
Тип IGBT NPT
конфигурация Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 165A
Мощность - макс. 640W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1.4mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 7.4nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол E3
Пакет устройств поставщика E3

сопутствующие товары

Все продукты