IXTY1N120P

MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
IXTY1N120P P1
IXTY1N120P P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ IXTY1N120P

номер части
IXTY1N120P
производитель
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IXTY1N120P PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXTY1N120P
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) -
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs -
Рабочая Температура -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252, (D-Pak)
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты