| номер части | IXTD4N80P-3J |
|---|---|
| Статус детали | Last Time Buy |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 800V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 14.2nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 750pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 100W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Упаковка / чехол | Die |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTD1R4N60P 11 | IXYS | MOSFET N-CH 600V | - | 6733 | подробности |
|
IXTD2N60P-1J | IXYS | MOSFET N-CH 600 | - | 6493 | подробности |
|
IXTD3N50P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 500 | - | 6493 | подробности |
|
IXTD3N60P-2J | IXYS | MOSFET N-CH 600 | - | 6488 | подробности |
|
IXTD4N80P-3J | IXYS | MOSFET N-CH 800 | - | 6488 | подробности |
|
IXTD5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE | - | 0 | подробности |
