IXFR12N100Q

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
IXFR12N100Q P1
IXFR12N100Q P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ IXFR12N100Q

номер части
IXFR12N100Q
производитель
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IXFR12N100Q PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXFR12N100Q
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 90nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2900pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 6A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика ISOPLUS247™
Упаковка / чехол ISOPLUS247™

сопутствующие товары

Все продукты