IXFP4N100P

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
IXFP4N100P P1
IXFP4N100P P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ IXFP4N100P

номер части
IXFP4N100P
производитель
IXYS
Описание
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IXFP4N100P PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXFP4N100P
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1456pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты