| номер части | SPD50P03LGBTMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 126nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6880pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-5 |
| Упаковка / чехол | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | 0 | подробности | |
 |
SPD50N03S207GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 0 | подробности | |
 |
SPD50N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | 0 | подробности | |
 |
SPD50N03S2L06GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | 2500 | подробности | |
 |
SPD50N03S2L06T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | 0 | подробности | |
 |
SPD50N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A DPAK | 0 | подробности | |
 |
SPD50P03L G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 50A TO-252 | - | 10000 | подробности |
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 50A TO-252 | - | 68357 | подробности |
 |
SPD50P03LGXT | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 50A TO-252 | - | 6849 | подробности |
