SPB80N03S2L06T

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
SPB80N03S2L06T P1
SPB80N03S2L06T P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ SPB80N03S2L06T

номер части
SPB80N03S2L06T
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
SPB80N03S2L06T.pdf SPB80N03S2L06T PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SPB80N03S2L06T
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2530pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

сопутствующие товары

Все продукты