Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ PTFA211801E V4 R250

номер части: PTFA211801E V4 R250
производитель: Infineon Technologies
Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PTFA211801E V4 R250.pdf PTFA211801E V4 R250 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	PTFA211801E V4 R250
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.14GHz
Усиление	15.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	10µA
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.2A
Выходная мощность	35W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	2-Flatpack, Fin Leads
Пакет устройств поставщика	H-36260-2

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
PTFA211801E V4	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2		0	подробности
PTFA211801E V4 R250	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2		0	подробности
PTFA211801E-V5-R0	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2	-	443	подробности
PTFA211801E-V5-R250	Cree/Wolfspeed	FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2	-	533	подробности
PTFA211801EV5R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2	-	0	подробности
PTFA211801EV5R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2		0	подробности
PTFA211801EV5T350XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-36260-2	-	0	подробности
PTFA211801EV5XWSA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2		0	подробности
PTFA211801F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2		0	подробности
PTFA211801F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2		0	подробности