IPN70R2K1CEATMA1

MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
IPN70R2K1CEATMA1 P1
IPN70R2K1CEATMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPN70R2K1CEATMA1

номер части
IPN70R2K1CEATMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPN70R2K1CEATMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPN70R2K1CEATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 750V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 163pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-SOT223
Упаковка / чехол TO-261-4, TO-261AA

сопутствующие товары

Все продукты