IPD30N06S223ATMA1

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD30N06S223ATMA1 P1
IPD30N06S223ATMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD30N06S223ATMA1

номер части
IPD30N06S223ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPD30N06S223ATMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPD30N06S223ATMA1
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 55V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 901pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 21A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты