Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD200N15N3GATMA1

номер части: IPD200N15N3GATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD200N15N3GATMA1.pdf IPD200N15N3GATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD200N15N3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	150V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	31nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1820pF @ 75V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	150W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	IPD200N15N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3		7500	подробности
	IPD200N15N3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3		0	подробности