DF75R12W1H4FB11BOMA2

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
DF75R12W1H4FB11BOMA2 P1
DF75R12W1H4FB11BOMA2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ DF75R12W1H4FB11BOMA2

номер части
DF75R12W1H4FB11BOMA2
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DF75R12W1H4FB11BOMA2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DF75R12W1H4FB11BOMA2
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 25A
Мощность - макс. 20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты