Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BG3130E6327HTSA1

номер части: BG3130E6327HTSA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BG3130E6327HTSA1.pdf BG3130E6327HTSA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BG3130E6327HTSA1
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	2 N-Channel (Dual)
частота	800MHz
Усиление	24dB
Напряжение - испытание	5V
Текущий рейтинг	25mA
Коэффициент шума	1.3dB
Текущий - Тест	14mA
Выходная мощность	-
Напряжение - Номинальное напряжение	8V
Упаковка / чехол	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика	PG-SOT363-6

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
BG3130E6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363		подробности
BG3130H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363	-	подробности
BG3130RE6327BTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363		подробности
BG3130RH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363	-	подробности