GP2M008A060CG

MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
GP2M008A060CG P1
GP2M008A060CG P2
GP2M008A060CG P1
GP2M008A060CG P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GP2M008A060CG

номер части
GP2M008A060CG
производитель
Global Power Technologies Group
Описание
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
GP2M008A060CG.pdf GP2M008A060CG PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части GP2M008A060CG
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1063pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D-Pak
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты