Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fujitsu Electronics America, Inc. ~ MB85R256FPFCN-G-BNDE1

номер части: MB85R256FPFCN-G-BNDE1
производитель: Fujitsu Electronics America, Inc.
Описание: IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: MB85R256FPFCN-G-BNDE1.pdf MB85R256FPFCN-G-BNDE1 PDF online browsing
семья: Память

номер части	MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FRAM
Технологии	FRAM (Ferroelectric RAM)
Размер памяти	256Kb (32K x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	150ns
Время доступа	150ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Пакет устройств поставщика	28-TSOP I

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
MB85R256FPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP		подробности
MB85R256FPF-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP		подробности
MB85R256FPFCN-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP		подробности
MB85R256FPNF-G-JNERE2	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP		подробности
MB85R256GPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	-	подробности
MB85R256GPF-G-BNDE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP	-	подробности