FDB120N10

MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
FDB120N10 P1
FDB120N10 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB120N10

номер части
FDB120N10
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FDB120N10 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FDB120N10
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 74A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 86nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5605pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 170W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 74A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

сопутствующие товары

Все продукты