FCI25N60N

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
FCI25N60N P1
FCI25N60N P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FCI25N60N

номер части
FCI25N60N
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FCI25N60N PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FCI25N60N
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3352pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 216W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 12.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика I2PAK
Упаковка / чехол TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

сопутствующие товары

Все продукты