| номер части | EPC2021ENG |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 80V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 14mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1700pF @ 40V |
| Vgs (Макс.) | +6V, -4V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Упаковка / чехол | Die |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 26500 | подробности | |
 |
EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 70000 | подробности | |
 |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 0 | подробности | |
 |
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 15000 | подробности | |
 |
EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 5000 | подробности | |
 |
EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 12000 | подробности | |
 |
EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 0 | подробности | |
 |
EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 4000 | подробности | |
 |
EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 21000 | подробности | |
 |
EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 0 | подробности | |
 |
EPC2014 | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 26000 | подробности | |
 |
EPC2014C | EPC | TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE | 97500 | подробности |
