EPC2020

TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
EPC2020 P1
EPC2020 P2
EPC2020 P1
EPC2020 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

EPC ~ EPC2020

номер части
EPC2020
производитель
EPC
Описание
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
EPC2020.pdf EPC2020 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части EPC2020
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 90A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1780pF @ 30V
Vgs (Макс.) +6V, -4V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 31A, 5V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика Die
Упаковка / чехол Die

сопутствующие товары

Все продукты