| номер части | DMT4S1K-F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| емкость | 10000pF |
| Толерантность | ±10% |
| Номинальное напряжение - AC | 200V |
| Номинальное напряжение - DC | 400V |
| Диэлектрический материал | Polyester, Metallized |
| ESR (Сопротивление эквивалентной серии) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | Radial |
| Размер / размер | 0.567" L x 0.331" W (14.40mm x 8.40mm) |
| Высота - сидя (макс.) | 0.551" (14.00mm) |
| прекращение | PC Pins |
| Межстрочный интервал | 0.402" (10.20mm) |
| Приложения | General Purpose |
| Рейтинги | - |
| Особенности | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 120813 | подробности |
|
DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR | - | 136503 | подробности |
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | - | 127 | подробности |
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | - | 0 | подробности |
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 9.4A | - | 0 | подробности |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
DMT10H010SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | - | 111325 | подробности |
 |
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | - | 0 | подробности |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | подробности |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | - | 0 | подробности |
 |
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | подробности |
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | - | 0 | подробности |
