NE3514S02-A

HJ-FET NCH 10DB S02
NE3514S02-A P1
NE3514S02-A P2
NE3514S02-A P1
NE3514S02-A P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

CEL ~ NE3514S02-A

номер части
NE3514S02-A
производитель
CEL
Описание
HJ-FET NCH 10DB S02
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
NE3514S02-A.pdf NE3514S02-A PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NE3514S02-A
Статус детали Obsolete
Тип транзистора HFET
частота 20GHz
Усиление 10dB
Напряжение - испытание 2V
Текущий рейтинг 70mA
Коэффициент шума 0.75dB
Текущий - Тест 10mA
Выходная мощность -
Напряжение - Номинальное напряжение 4V
Упаковка / чехол 4-SMD, Flat Leads
Пакет устройств поставщика S02

сопутствующие товары

Все продукты