Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLP8G10S-45PY

номер части: BLP8G10S-45PY
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLP8G10S-45PY.pdf BLP8G10S-45PY PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLP8G10S-45PY
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual), Common Source
частота	952.5MHz ~ 957.5MHz
Усиление	20.8dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	224mA
Выходная мощность	2.5W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-1223-1
Пакет устройств поставщика	4-HSOPF

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLP8G05S-200GY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042	0	подробности
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	100	подробности
BLP8G10S-270PWY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212	94	подробности
BLP8G10S-45PGJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOP	0	подробности
BLP8G10S-45PGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP	100	подробности
BLP8G10S-45PJ	NXP USA Inc.	TRANS LDMOS 45W 4HSOPF	0	подробности
BLP8G10S-45PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231	0	подробности
BLP8G20S-80PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231	0	подробности
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	100	подробности
BLP8G27-10Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN	0	подробности
BLP8G27-5Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN	0	подробности