| номер части | BLP27M810Z |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual), Common Source |
| частота | 2.14GHz |
| Усиление | 17dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 110mA |
| Выходная мощность | 2W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | 16-VDFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 16-HVSON (4x6) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLP25M705Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | 0 | подробности | |
 |
BLP25M710Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | 0 | подробности | |
 |
BLP25RFE001E | Ampleon USA Inc. | BLP25RFE001/SOT993/TRAYBDP | - | 3201 | подробности |
|
BLP25RFE001Y | Ampleon USA Inc. | BLP25RFE001/SOT993/REELDP | - | 5421 | подробности |
 |
BLP27M810Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | 1500 | подробности |
