| номер части | BLF8G20LS-200V |
|---|---|
| Статус детали | Last Time Buy |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 1.8GHz ~ 2GHz |
| Усиление | 17.5dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | 4.2µA |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 1.6A |
| Выходная мощность | 200W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-1120B |
| Пакет устройств поставщика | LDMOST |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G09LS-270GWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | 0 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-270GWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | 0 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-270WJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 0 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-270WU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | 0 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | 100 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-400PGWQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | 60 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | 100 | подробности | |
 |
BLF8G09LS-400PWU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | 0 | подробности | |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | 0 | подробности | |
 |
BLF8G10L-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | 0 | подробности | |
 |
BLF8G10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | 0 | подробности | |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | 0 | подробности |
