BLF6G10-200RN,112

RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLF6G10-200RN,112 P1
BLF6G10-200RN,112 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF6G10-200RN,112

номер части
BLF6G10-200RN,112
производитель
Ampleon USA Inc.
Описание
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
BLF6G10-200RN,112.pdf BLF6G10-200RN,112 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BLF6G10-200RN,112
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 871.5MHz ~ 891.5MHz
Усиление 20dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 49A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1.4A
Выходная мощность 40W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-502A
Пакет устройств поставщика LDMOST

сопутствующие товары

Все продукты