AS4C8M16MSA-6BIN

IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
AS4C8M16MSA-6BIN P1
AS4C8M16MSA-6BIN P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C8M16MSA-6BIN

номер части
AS4C8M16MSA-6BIN
производитель
Alliance Memory, Inc.
Описание
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- AS4C8M16MSA-6BIN PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части AS4C8M16MSA-6BIN
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - Mobile
Размер памяти 128Mb (8M x 16)
Частота часов 166MHz
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа 5ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 54-VFBGA
Пакет устройств поставщика 54-FBGA (8x8)

сопутствующие товары

Все продукты