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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK6R7P06PL,RQ

品番	TK6R7P06PL,RQ
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 300µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	26nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1990pF @ 30V
FET機能	-
消費電力（最大）	66W (Tc)
動作温度	175°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	DPAK
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK6R7P06PL,RQ