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| Número de pieza | TK6R7P06PL,RQ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 46A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 66W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK6R7P06PL,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK | - | 140847 | Detalles |