MT3S111(TE85L,F)

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
MT3S111(TE85L,F) P1
MT3S111(TE85L,F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ MT3S111(TE85L,F)

品番
MT3S111(TE85L,F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- MT3S111(TE85L,F) PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
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製品パラメータ

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品番 MT3S111(TE85L,F)
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 6V
周波数 - 遷移 11.5GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
利得 12dB
電力 - 最大 700mW
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 200 @ 30mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ S-Mini

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