MT3S111(TE85L,F)

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
MT3S111(TE85L,F) P1
MT3S111(TE85L,F) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ MT3S111(TE85L,F)

Numéro d'article
MT3S111(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article MT3S111(TE85L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 6V
Fréquence - Transition 11.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Gain 12dB
Puissance - Max 700mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur S-Mini

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