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| 品番 | HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | 2 NPN (Dual) |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 12V |
| 周波数 - 遷移 | 7GHz |
| ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） | 1.1dB @ 1GHz |
| 利得 | 11.5dB |
| 電力 - 最大 | 200mW |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 80mA |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤデバイスパッケージ | US6 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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HN3C10FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN US6 | - | 0 | 詳細 |