HN3C10FUTE85LF

TRANSISTOR NPN US6
HN3C10FUTE85LF P1
HN3C10FUTE85LF P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ HN3C10FUTE85LF

Numéro d'article
HN3C10FUTE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANSISTOR NPN US6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- HN3C10FUTE85LF PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article HN3C10FUTE85LF
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gain 11.5dB
Puissance - Max 200mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur US6

Produits connexes

Tous les produits