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品番 | FJ4B01110L1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 153 mOhm @ 700mA, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 598µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
Vgs(最大) | ±8V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 226pF @ 10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 340mW (Ta) |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | ALGA004-W-0606-RA01 |
パッケージ/ケース | 4-XFLGA, CSP |