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| Numéro d'article | FJ4B01110L1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 153 mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 598µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 226pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 340mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | ALGA004-W-0606-RA01 |
| Paquet / cas | 4-XFLGA, CSP |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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FJ4B01100L1 | Panasonic Electronic Components | CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET | - | 322843 | Détails |
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