NTMFD4C86NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
NTMFD4C86NT1G P1
NTMFD4C86NT1G P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ NTMFD4C86NT1G

品番
NTMFD4C86NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NTMFD4C86NT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 NTMFD4C86NT1G
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11.3A, 18.1A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 22.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1153pF @ 15V
電力 - 最大 1.1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ 8-DFN (5x6)

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