NTMFD4C86NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
NTMFD4C86NT1G P1
NTMFD4C86NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFD4C86NT1G

Artikelnummer
NTMFD4C86NT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer NTMFD4C86NT1G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.3A, 18.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V
Leistung max 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)

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