NDD03N40Z-1G

MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
NDD03N40Z-1G P1
NDD03N40Z-1G P1
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ON Semiconductor ~ NDD03N40Z-1G

品番
NDD03N40Z-1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NDD03N40Z-1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NDD03N40Z-1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 400V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 6.6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 140pF @ 50V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 37W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.4 Ohm @ 600mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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