NDD03N40Z-1G

MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
NDD03N40Z-1G P1
NDD03N40Z-1G P1
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ON Semiconductor ~ NDD03N40Z-1G

Número de pieza
NDD03N40Z-1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NDD03N40Z-1G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NDD03N40Z-1G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.1A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 50V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 600mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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