IXTT3N200P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
IXTT3N200P3HV P1
IXTT3N200P3HV P1
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IXYS ~ IXTT3N200P3HV

品番
IXTT3N200P3HV
メーカー
IXYS
説明
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTT3N200P3HV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 2000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 70nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1860pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 520W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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