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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IXTT3N200P3HV |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 2000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 520W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IXTT30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTT30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | 19 | Einzelheiten | |
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IXTT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTT30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 | 514 | Einzelheiten | |
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IXTT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTT34N65X2HV | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12077 | Einzelheiten |
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IXTT360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO268 | 0 | Einzelheiten | |
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IXTT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTT36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 | - | 0 | Einzelheiten |
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IXTT3N200P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | 60 | Einzelheiten |