IXFB30N120Q2

MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB30N120Q2 P1
IXFB30N120Q2 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXFB30N120Q2

品番
IXFB30N120Q2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IXFB30N120Q2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFB30N120Q2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUS264™
パッケージ/ケース ISOPLUS264™

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