IXFB100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFB100N50Q3 P1
IXFB100N50Q3 P1
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IXYS ~ IXFB100N50Q3

品番
IXFB100N50Q3
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFB100N50Q3.pdf IXFB100N50Q3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IXFB100N50Q3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 6.5V @ 8mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 255nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 13800pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 1560W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 49 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PLUS264™
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA

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