IKW75N65EH5XKSA1

IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
IKW75N65EH5XKSA1 P1
IKW75N65EH5XKSA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IKW75N65EH5XKSA1

品番
IKW75N65EH5XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IKW75N65EH5XKSA1.pdf IKW75N65EH5XKSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 IKW75N65EH5XKSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 650V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 90A
電流 - コレクタパルス(Icm) 300A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 75A
電力 - 最大 395W
スイッチングエネルギー 2.3mJ (on), 900µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 160nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 28ns/174ns
テスト条件 400V, 75A, 8 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) 92ns
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3

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