IKW75N65EH5XKSA1

IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
IKW75N65EH5XKSA1 P1
IKW75N65EH5XKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IKW75N65EH5XKSA1

Numero di parte
IKW75N65EH5XKSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte IKW75N65EH5XKSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 90A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max 395W
Cambiare energia 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 160nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 28ns/174ns
Condizione di test 400V, 75A, 8 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 92ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3

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