GSID200A120S3B1

SILICON IGBT MODULES
GSID200A120S3B1 P1
GSID200A120S3B1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Global Power Technologies Group ~ GSID200A120S3B1

品番
GSID200A120S3B1
メーカー
Global Power Technologies Group
説明
SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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製品パラメータ

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品番 GSID200A120S3B1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 2 Independent
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 400A
電力 - 最大 1595W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 20nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース D-3 Module
サプライヤデバイスパッケージ D3

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