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| Numéro d'article | GSID200A120S3B1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | 2 Independent |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 400A |
| Puissance - Max | 1595W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 200A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | D-3 Module |
| Package de périphérique fournisseur | D3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GSID200A120S3B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 0 | Détails | |
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GSID200A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 335A | 9 | Détails | |
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