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BOM

FGA50N100BNTDTU

IGBT 1000V 50A 156W TO3P
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU P1
FGA50N100BNTDTU P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Fairchild/ON Semiconductor ~ FGA50N100BNTDTU

品番
FGA50N100BNTDTU
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FGA50N100BNTDTU PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 FGA50N100BNTDTU
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT and Trench
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1000V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 50A
電流 - コレクタパルス（Icm） 100A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.9V @ 15V, 60A
電力 - 最大 156W
スイッチングエネルギー -
入力方式 Standard
ゲートチャージ 275nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ -
テスト条件 -
逆回復時間（trr） 1.5µs
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P

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