FGA50N100BNTDTU

IGBT 1000V 50A 156W TO3P
FGA50N100BNTDTU P1
FGA50N100BNTDTU P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FGA50N100BNTDTU

Numéro d'article
FGA50N100BNTDTU
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article FGA50N100BNTDTU
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT and Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Puissance - Max 156W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 275nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test -
Temps de récupération inverse (trr) 1.5µs
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3P

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